ALD1101APAL
Advanced Linear Devices Inc.
Deutsch
Artikelnummer: | ALD1101APAL |
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Hersteller / Marke: | Advanced Linear Devices, Inc. |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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50+ | $9.8096 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 10µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-PDIP |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75Ohm @ 5V |
Leistung - max | 500mW |
Verpackung / Gehäuse | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10pF @ 5V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 10.6V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | - |
Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
Grundproduktnummer | ALD1101 |
ALD1101APAL Einzelheiten PDF [English] | ALD1101APAL PDF - EN.pdf |
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Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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